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片山 健一  弁理士

 

主な取扱分野

電子工学/半導体デバイス/表示装置/光電子工学/光回路/光学/磁気記録技術/セラミックス/物質工学/分析評価技術 等

登録、所属

日本弁理士会
 

経歴

 
1982年3月

東京理科大学理学部物理学科卒業

1984年3月

東北大学理学研究科博士課程前期物理学専攻修了

           4月

昭和電工株式会社入社
シリコン系半導体結晶の格子欠陥と電気的特性に関する研究・開発に従事した後、分析物性センター構造解析チームのチームリーダとして、無機物質系機能性材料、半導体材料・半導体素子、磁性記録媒体等の構造解析・高付加価値化に関する研究・開発業務に従事

1984年6月
~1985年1月

通産省電子技術総合研究所客員研究員(半導体デバイス研究室)

1990年10月
~1992年5月

米国ノースカロライナ州立大学工学部物質工学科客員研究員

1993年7月

工学博士(大阪大学)

2000年8月

TMI総合法律事務所入所

2000年12月

弁理士登録

2001年7月

谷・阿部特許事務所入所

2003年4月

筑波大学大学院ビジネス科学研究科企業法学専攻コース
博士課程入学

2003年12月

特定侵害訴訟代理業務試験合格(2004年2月付記登録)

2004年1月

片山特許事務所入所

2004年8月

大野総合法律事務所入所

2006年1月

パートナー就任

2009年3月

筑波大学大学院ビジネス科学研究科企業法学専攻コース
博士課程学位取得 退学

 

著書・論文

◆K. Katayama
"Characterization of Oxygen Precipitates in CZ-Silicon Crystals by Light-Scattering Tomography"
Jpn. J. Appl. Phys. 29 (1990) L198

◆K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
"Non-contact Characterization for Energy Level Related to Silicon Wafer Surface" in "Defects in Silicon II"
(Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.89

◆K. Katayama and F. Shimura
"LM-DLTS Measurements for CZ Silicon Wafers with Different [Oi], [Cs] and Thermal History"
in "Defects in Silicon II"(Eds. W. M. Bullis, U. Goesele and F. Shimura, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1991) pp.97

◆K. Katayama, Y. Kirino and F. Shimura
"Effects of Ultraviolet Light Irradiation on Non-contact Microwave Lifetime Measurement"
Jpn. J. Appl. Phys. 30B (1991) L1907

◆J. Partanen, T. Tuomi and K. Katayama
"Comparison of Defect Images and Density Between Synchrotron Section Topography and
Infrared Light Scattering Microscopy in Heat Treated Czochralski Silicon Crystals"
J. Electrochem. Soc. 139 (1992) 599

◆K. Katayama and F. Shimura
"Non-contact Defect Characterization for CZ Silicon Crystals with FT-IR, LM-Lifetime, LM-DLTS and Light Scattering Tomography"
in "Diagnostic Techniques for Semiconductor Materials and Devices" (Eds. J. Benton, G. Maracas and P. Rai-Choudhury, The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1992) pp.184

◆K. Katayama and F. Shimura
"Non-contact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation Effect on Si-SiO2 Interface"
Jpn. J. Appl. Phys. 8A (1992) L1001

◆A. Buczkowski, K. Katayama, G. A. Rozgonyi and F. Shimura
"Non-contact Mobility Measurement with a Laser/Microwave Photoconductance Technique: Temperature Dependence"
Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 1229

◆L. Zhong, A. Buczkowski, K. Katayama and F. Shimura
"Transient Recovery of Minority-Carrier Lifetime in Silicon After Ultraviolet Irradiation"
Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 931

◆K. Katayama and F. Shimura
"Noncontact Characterization for Ultraviolet Light Irradiation on Si-SiO2 Interface"
in "Defects Engineering in Semiconductor Growth, Processing and Device Technology"
(Eds. S. Ashok, J. Chevallier, K. Sumino and E. Weber, Materials Research Society, Pittsburgh, 1992)

◆K. Katayama, A. Agawal, Z. J. Radzimski and F. Shimura
"Investigation on Defects in CZ Silicon with High-Sensitive Laser/Microwave Photoconductance Technique"
Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) 298

◆K. Katayama and F. Shimura
"Noncontact Characterization for Carrier Recombination Center Related to Si-SiO2 Interface"
Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L395

 

活動

◆2002年度 日本弁理士会国際活動委員会 委員

◆2003~2004年度 日本弁理士会研修所 運営委員

◆2008年度 産業競争力推進委員会 委員

◆2012年度~現在 日本弁理士会国際活動センター センター員

◆2013 JPAA IP Practitioners Seminar in Bangkok, Thailand 講師

◆2013年度日本弁理士会欧州訪問団メンバー

◆2014年”Symposium on the topic of the practice around Art. 123(2) EPC”日本弁理士会代表

◆2015 JPAA IP Practitioners Seminar in Jakarta, Indonesia 講師

◆2015年度日本弁理士会欧州訪問団リーダー

◆2017 JPAA IP Practitioners Seminar in Hanoi, Vietnam 講師

 

使用言語

日本語、英語

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